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碳化硅外延生長爐
碳化硅外延生長爐
產(chǎn)品描述:
碳化硅外延生長爐主要用于石墨盤或碳化盤的碳化硅外延生長制備
應(yīng)用范圍:
石墨盤、碳化盤

碳化硅外延生長爐技術(shù)特征

采用先進的控制技術(shù),能精密控制MTS/MS的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,壓力波動??;

多通道工藝氣路,流場均勻,無沉積死角,沉積效果好;

多級高效尾氣處理系統(tǒng),能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物,環(huán)境友好;

適于工藝氣氛:真空/H2/N2/Ar/MTS/MS。

碳化硅外延生長爐產(chǎn)品規(guī)格

參數(shù)\型號HCVD-101015-SiCHCVD-152023-SiCVCVD-0608-SiCVCVD-0612-SiCVCVD-0812-SiCVCVD-1120-SiCVCVD-1218-SiCVCVD-1520-SiC
工作區(qū)尺寸 W×H×L(mm)1000×1000×15001500×2000×2300600×800600×1200800×12001100×20001200×18001500×2000
最高溫度(℃)15001500150015001500150015001500
溫度均勻性(℃)±10/±15±15/±20±5/±7.5±7.5/±10±7.5/±10±10/±15±10/±15±15/±20
極限真空度(Pa)1-1001-1001-1001-1001-1001-1001-1001-100
壓升率(Pa/h)0.670.670.670.670.670.670.670.67
加熱方式電阻電阻電阻電阻電阻電阻電阻電阻

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進行調(diào)整,不作為驗收依據(jù),具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準。

碳化硅外延生長爐配置選擇

結(jié)構(gòu)形式:臥式-單開門/雙開門;立式-上出料/下出料

爐門鎖緊方式:手動/自動

爐殼材質(zhì):內(nèi)層不銹鋼/全不銹鋼

保溫材質(zhì):碳氈/石墨氈/碳纖維固化氈

加熱器、馬弗材質(zhì):石墨/CFC

熱電偶:C/S分度號

真空泵:機械泵組/耐腐蝕泵組

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